IRF530N
Symbol Micros:
TIRF530n
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5732 | 0,3605 | 0,2843 | 0,2589 | 0,2496 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5732 | 0,3605 | 0,2843 | 0,2589 | 0,2496 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
18900 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2496 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9950 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3028 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
137550 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2496 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
29789 stk.
| Anzahl Stück | 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2496 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-27
Anzahl Stück: 700
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Standard-Verpackung: 50/500
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IRF530 RoHS
Gehäuse:
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Standard-Verpackung: 1
Menge (Vielfache 1)
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IRF530 RoHS
Gehäuse:
TO220
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Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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| Nettopreis (EUR) | 0,5801 | 0,3675 | 0,2889 | 0,2635 | 0,2519 |
Standard-Verpackung: 50/200
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Hersteller-Teilenummer:
HIRF530NPBF RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,5732 | 0,3467 | 0,2658 | 0,2404 | 0,2288 |
Standard-Verpackung: 50/200
Menge (Vielfache 1)
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