IRF530NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF530n MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6001 0,3808 0,3000 0,2723 0,2608
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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