IRF740PBF
Symbol Micros:
TIRF740
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2160 | 0,9281 | 0,7692 | 0,6725 | 0,6403 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
16000 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6403 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4890 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6976 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-30
Anzahl Stück: 500
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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