IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2103 0,9237 0,7644 0,6711 0,6370
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2103 0,9237 0,7644 0,6711 0,6370
Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT