IRF740PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF740 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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