IRF830PBF

Symbol Micros: TIRF830

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 4,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

48 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,9435	0,5974	0,4718	0,4220	0,4101

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

850 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4644

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

68050 stk.

Anzahl Stück	950+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4101

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2110 stk.

Anzahl Stück	5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4686

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-03-05

Anzahl Stück: 300

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7041	0,4457	0,3509	0,3200	0,3058