IRF830PBF

Symbol Micros: TIRF830

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 4,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,9131	0,6032	0,4976	0,4647	0,4342

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

48 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,9131	0,6032	0,4976	0,4647	0,4342

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6431	0,4061	0,3216	0,2934	0,2793

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6971	0,4413	0,3474	0,3169	0,3028