IRF830PBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF830 MOS
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | MOSLEADER |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | MOSLEADER |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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Menge (Vielfache 1)
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