IRF830PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF830 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6997 0,4429 0,3487 0,3180 0,3039
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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