IRF840

Symbol Micros: TIRF840
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
185 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1744 0,8197 0,6952 0,6553 0,6177
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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