IRF840
Symbol Micros:
TIRF840
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
95 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1556 | 0,8066 | 0,6841 | 0,6448 | 0,6079 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF 840 PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
807 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2694 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
64425 stk.
| Anzahl Stück | 650+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6079 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2525 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0528 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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