IRF840PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF840 MOS
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF840PBF; IRF840PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 695mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 178W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 695mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 178W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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