IRF840PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF840 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF840PBF; IRF840PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 695mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 178W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9164 0,5795 0,4570 0,4170 0,3981
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 695mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 178W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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