IRFP260N

Symbol Micros: TIRFP260n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260NPBF; IRFP260NTRPBF; IRFP260PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
268 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8712 1,4816 1,3216 1,2869 1,2474
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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