IRFP260NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP260n JSM
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFP260PBF; IRFP260NPBF; SP001552016;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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