IRFP4110
Symbol Micros:
TIRFP4110
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Hersteller-Teilenummer:
IRFP4110-CN RoHS
Gehäuse:
TO247
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| Nettopreis (EUR) | 1,7803 | 1,3207 | 1,1270 | 1,0617 | 1,0477 |
Standard-Verpackung: 30
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