IRFP4110

Symbol Micros: TIRFP4110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 196+
Nettopreis (EUR) 1,9318 1,5279 1,3640 1,3040 1,2879
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Standard-Verpackung:
25/150
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
196 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 196+
Nettopreis (EUR) 1,9318 1,5279 1,3640 1,3040 1,2879
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Standard-Verpackung:
25/196
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,4385
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
4510 stk.
Anzahl Stück 75+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5812
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
325 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,9325
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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