IRFP4110-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRFP4110 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C;; Äquivalent: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1; SP001556724; SP005732688;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 235W
Gehäuse: TO247
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRFP4110-CN RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7960 1,3323 1,1369 1,0710 1,0569
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 235W
Gehäuse: TO247
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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