IRFR3710ZPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFR3710z

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF RoHS Gehäuse: DPAK t/r

Auf Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,1400	0,7966	0,6751	0,6167	0,6004

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6004

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

1604000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6004

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

110000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6004

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8597	0,5443	0,4298	0,3925	0,3738

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0256	0,6821	0,5653	0,5093	0,4882