IRFR3710ZTRPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRFR3710z MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF-ML RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7892 0,5003 0,3946 0,3594 0,3429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole