IRFR9024N
Symbol Micros:
TIRFR9024n
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9024NPBF; IRFR9026NTRPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NPBF-GURT; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 175mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
4082 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5361 | 0,3245 | 0,2492 | 0,2248 | 0,2140 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 175mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 100
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| Nettopreis (EUR) | 0,3597 | 0,2001 | 0,1578 | 0,1434 | 0,1387 |
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| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,3292 | 0,2154 | 0,1542 | 0,1350 | 0,1265 |
Standard-Verpackung: 200
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| Nettopreis (EUR) | 0,3715 | 0,2422 | 0,1742 | 0,1524 | 0,1427 |
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| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,3786 | 0,2492 | 0,1778 | 0,1554 | 0,1458 |
Standard-Verpackung: 200
Menge (Vielfache 1)
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