IRL540

Symbol Micros: TIRL540pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL540PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRL540PBF-VB RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 46+ 138+
Nettopreis (EUR) 1,1721 0,8921 0,7355 0,6453 0,6169
Standard-Verpackung:
4
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRL540PBF-VB RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
46 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 46+ 138+
Nettopreis (EUR) 1,1721 0,8921 0,7355 0,6453 0,6169
Standard-Verpackung:
46
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT