IRLL110

Symbol Micros: TIRLL110
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Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Max. Drainstrom: 1,5A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-10
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Max. Drainstrom: 1,5A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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