IRLL110TR UMW

Symbol Micros: TIRLL110 UMW

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 76mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	76mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Max. Drainstrom:	1,5A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLL110TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

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300 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3757	0,2473	0,1776	0,1521	0,1447

Widerstand im offenen Kanal:	76mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Max. Drainstrom:	1,5A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD