IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1780 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2653 0,1468 0,0975 0,0814 0,0759
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
41 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2653 0,1468 0,0975 0,0814 0,0759
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-10
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD