IRLML6401
Symbol Micros:
TIRLML6401
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
2321 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 | 0,9600 | 0,7550 | 0,6990 | 0,6700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS F...
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 | 0,9600 | 0,7550 | 0,6990 | 0,6700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
SKML6401 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
SKML6401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
750 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8970 | 0,3590 | 0,2090 | 0,1740 | 0,1630 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML6401 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLML6401TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
4000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8510 | 0,4310 | 0,2610 | 0,2070 | 0,1890 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML6401 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLML6401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5160 | 0,3080 | 0,2550 | 0,2290 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML6401 MLCCBASE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Producent:
MLCCBASE
Symbol producenta:
IRLML6401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8510 | 0,4260 | 0,2540 | 0,2100 | 0,1890 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML6401TRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLML6401TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8510 | 0,4300 | 0,2590 | 0,2050 | 0,1890 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)