IRLML6402

Symbol Micros: TIRLML6402
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
4513 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3687 0,2024 0,1592 0,1475 0,1414
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4561 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1414
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
326800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1414
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

P-Kanal MOSFET Transistor IRLML6402TRPBF

Der IRLML6402TRPBF (Micros-Bezeichnung: TIRLML6402) ist ein hochwertiger P-Kanal MOSFET-Transistor von Infineon. Das Bauteil verfügt über ein robustes Design im kompakten SOT23-SMD-Gehäuse, was eine Miniaturisierung von Schaltungen sowie eine effiziente Wärmeableitung ermöglicht. Aufgrund seiner Parameter eignet er sich ideal für Anwendungen, bei denen ein schnelles Schalten von Signalen in Niederspannungs- und Mittelspannungs-Schaltungen erforderlich ist.

Wichtige Merkmale und Spezifikationen des IRLML6402TRPBF Transistors

  • Typ: P-Kanal MOSFET
  • Maximale Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
  • Maximaler Drain-Strom (Id): 3,7A
  • Durchlasswiderstand (Rds(on)): 135 mΩ
  • Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 12V
  • Gehäuse: SOT23
  • Maximale Verlustleistung (Pd): 1,3W
  • Hersteller: Infineon

Typische Anwendungen des IRLML6402TRPBF Transistors

Dieser Transistor eignet sich für den Einsatz in:

  • Steuerschaltungen – z. B. in Energiemanagementsystemen für Laptops und tragbare Geräte;
  • Ladegeräten und DC/DC-Wandlern – als Schaltelement in effizienten Stromversorgungen;
  • Motorsteuerungen – in H-Brücken und anderen Niedrigleistungs-Motorcontrollern;
  • Unterhaltungselektronik – Anwendungen, bei denen Miniaturisierung und geringer Widerstand entscheidend sind.

Wir empfehlen Ihnen, das vollständige Datenblatt auf der Website des Herstellers einzusehen und unser Angebot für dieses sowie weitere elektronische Bauteile zu nutzen. Bei Fragen steht Ihnen unser technisches Team gerne zur Verfügung.