IRLML6402 HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6402 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6402 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
880 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2220 0,1112 0,0661 0,0549 0,0493
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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