IRLR3636 IRLR3636PBF-GURT

Symbol Micros: TIRLR3636
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 8,3 mOhm; 99A; 143W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3636PBF; IRLR3636TRPBF (2000/T&R); IRLR3636TRLPBF (3K/RL); IRLR3636PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1450 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1222 0,7848 0,6677 0,6115 0,5904
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5904
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5962
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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