IRLR3636 IRLR3636PBF-GURT

Symbol Micros: TIRLR3636
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 8,3 mOhm; 99A; 143W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3636PBF; IRLR3636TRPBF (2000/T&R); IRLR3636TRLPBF (3K/RL); IRLR3636PBF-GURT; PGD06N026M;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8600 0,5710 0,4732 0,4277 0,4095
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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