IRLR3636PBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLR3636 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3636PBF; IRLR3636TRLPBF; IRLR3636TRPBF; SP001553190; SP001569134; SP001574002;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR3636PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9828 0,6536 0,5408 0,4867 0,4679
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole