LGE50N06D TO252 LGE

Name: TLGE50N06D TLGE50N06D
Brand: LGE
SKU: TLGE50N06D
Price: 0.0761 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TLGE50N06D

Gehäuse: TO252

Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE50N06D RoHS Gehäuse: TO252t/r

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500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2666	0,1468	0,0972	0,0809	0,0761

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD