NDT70N06 TO252 KEXIN

Symbol Micros: TNDT70N06 KEX
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Gehäuse: TO252
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Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 6,6mOhm; 88A; 111W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich: SUD50N06-09L-E3; PTD50N06; LGE50N06D;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 111W
Max. Drainstrom: 88A
Gehäuse: TO252
Hersteller: KEXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 111W
Max. Drainstrom: 88A
Gehäuse: TO252
Hersteller: KEXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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