MJD31CT4 STM

Symbol Micros: TMJD31c STM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 15W Darl. NPN 3A 100V 15W
Parameter
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5924 0,3723 0,2927 0,2669 0,2576
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4 Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
610000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2576
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN