MJD31CT4 STM

Symbol Micros: TMJD31c STM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 15W Darl. NPN 3A 100V 15W
Parameter
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO252
Stromverstärkungsfaktor: 50
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5726 0,3599 0,2829 0,2580 0,2490
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO252
Stromverstärkungsfaktor: 50
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN