MJD31CT4G

Symbol Micros: TMJD31c ONS

Gehäuse: TO252

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

1980 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5204	0,3146	0,2413	0,2183	0,2077

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252

Externes Lager:

30000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2077

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252

Externes Lager:

117500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2077

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-01-31

Anzahl Stück: 2500

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5133	0,2839	0,2245	0,2115	0,2049

Anzahl Stück	3+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3903	0,2299	0,1748	0,1573	0,1497

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3619	0,2389	0,1713	0,1467	0,1396