MJD31CT4G

Name: TMJD31c ONS TMJD31c ONS
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMJD31cONS
Price: 0.1959 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD31c ONS

Gehäuse: TO252

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

2380 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4909	0,2959	0,2281	0,2060	0,1959

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5097	0,2819	0,2229	0,2100	0,2034

Anzahl Stück	3+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3876	0,2283	0,1736	0,1562	0,1487

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3594	0,2372	0,1701	0,1456	0,1386