MJD31CT4G

Name: TMJD31c ONS TMJD31c ONS
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TMJD31cONS
Price: 0.2075 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD31c ONS

Gehäuse: TO252

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

1440 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5198	0,3143	0,2410	0,2181	0,2075

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CG Gehäuse: TO252

Externes Lager:

3450 stk.

Anzahl Stück	375+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3163

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252

Externes Lager:

80000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2075

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-30

Anzahl Stück: 2500

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5128	0,2836	0,2242	0,2112	0,2046

Anzahl Stück	3+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3899	0,2297	0,1746	0,1571	0,1496

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3615	0,2387	0,1711	0,1465	0,1394

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5978	0,3757	0,2954	0,2694	0,2599