MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Gehäuse: TO252
Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO252 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1980 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5010 | 0,3049 | 0,2337 | 0,2108 | 0,2007 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2007 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
175000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2007 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
115000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2007 |
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO252 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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