MJD31CT4G

Name: TMJD31c ONS TMJD31c ONS
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TMJD31cONS
Price: 0.2056 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD31c ONS

Gehäuse: TO252

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

1680 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5151	0,3114	0,2388	0,2161	0,2056

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-30

Anzahl Stück: 2500

Verlustleistung:	1,56W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	50
Gehäuse:	TO252
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5081	0,2810	0,2222	0,2093	0,2028

Anzahl Stück	3+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3863	0,2276	0,1730	0,1557	0,1482

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3582	0,2365	0,1695	0,1452	0,1381

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5924	0,3723	0,2927	0,2669	0,2576