MMBT2907ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2907alt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,1087 0,0434 0,0218 0,0174 0,0167
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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