MMBT4401-7-F

Symbol Micros: TMMBT4401-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 350mW, 40V; 600mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; MMBT4401-13-F
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT4401-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0776 0,0305 0,0179 0,0131 0,0119
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN