MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300 NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4401LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0767 0,0296 0,0144 0,0115 0,0110
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN