6N136-300E

Symbol Micros: OO6N136-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08smd
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einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parameter
Gehäuse: DIP08smd
Klickrate (CTR): 19-50%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 20V
Hersteller: AVAGO Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E RoHS Gehäuse: PDIP08smd Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2776 0,8927 0,7582 0,6910 0,6724
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Standard-Verpackung:
300
Gehäuse: DIP08smd
Klickrate (CTR): 19-50%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Ausgangsspannung [V]: 20V

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