6N136-300E

Symbol Micros: OO6N136-300e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08smd
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einzelner CTR 19-50 % Vce 20 V Uiso 3,75 kV Transistor mit Sockel 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parameter
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung [V]: 20V
Hersteller: AVAGO Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E RoHS Gehäuse: PDIP08smd Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3085 0,9143 0,7765 0,7077 0,6887
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 6N136-300E Gehäuse: PDIP08smd  
Externes Lager:
1700 stk.
Anzahl Stück 700+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6887
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: BROADCOM Hersteller-Teilenummer: 6N136-500E Gehäuse: PDIP08smd  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6887
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 19-50%
Gehäuse: DIP08smd
Ausgang-Typ: Transistor with Base
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung [V]: 20V

Symbol Micros

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