PC357N2T

Symbol Micros: OOPC357n2t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC04
Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: PC357N2J000F; PC357N2T; PC357N2TJ00F; PC357N2J000F;
Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V