PC357N3T

Symbol Micros: OOPC357n3t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC04
Einzel-CTR 200-400 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor PC357N3TJ00F ->EOL! ; PC357N3J000F
Parameter
Gehäuse: SOIC04
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V
Hersteller: Sharp Hersteller-Teilenummer: PC357N3J000F RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2970 0,1579 0,1225 0,1130 0,1082
Standard-Verpackung:
958
Hersteller: Sharp Hersteller-Teilenummer: PC357N3J000F RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2970 0,1579 0,1225 0,1130 0,1082
Standard-Verpackung:
3000
Gehäuse: SOIC04
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V