EL357C UMW

Symbol Micros: OOPC357n3t UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP04
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Einzel CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Parameter
Gehäuse: SOP04
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: EL357C RoHS Gehäuse: SOP04 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2275 0,1139 0,0680 0,0561 0,0506
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Gehäuse: SOP04
Klickrate (CTR): 200-400%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole