LTV-357T-C

Symbol Micros: OOPC357tltv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4 t/r
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Einzel-CTR 50-600 %; Vce 35V; Uiso 3,75 kV; NPN-Fototransistor; Äquivalent: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
190575 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2633 0,1335 0,0809 0,0642 0,0585
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C Gehäuse: SO 4 t/r  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0585
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-08
Anzahl Stück: 90000
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: LITEON
Semikonduktortyp: Transoptor
Montage: SMD
Anzahl der Kanäle: 1
Ausgangsart: Transistor
Isolationsspannung: 3,75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Kollektor-Emitter-Spannung: 35V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 100°C
Gehäuse: SO 4

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