LTV-357T-C
Symbol Micros:
OOPC357tltv
Gehäuse: SO 4 t/r
Einzel-CTR 50-600 %; Vce 35V; Uiso 3,75 kV; NPN-Fototransistor; Äquivalent: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Parameter
Klickrate (CTR): | 50-600% |
Gehäuse: | SO 4 t/r |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 35V |
Hersteller: LITE-ON
Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C RoHS
Gehäuse: SO 4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190575 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2633 | 0,1335 | 0,0809 | 0,0642 | 0,0585 |
Hersteller: LITE-ON
Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C
Gehäuse: SO 4 t/r
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0585 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-08
Anzahl Stück: 90000
Klickrate (CTR): | 50-600% |
Gehäuse: | SO 4 t/r |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 3750V |
Ausgangsspannung: | 35V |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: LITEON
Semikonduktortyp: Transoptor
Montage: SMD
Anzahl der Kanäle: 1
Ausgangsart: Transistor
Isolationsspannung: 3,75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Kollektor-Emitter-Spannung: 35V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 100°C
Gehäuse: SO 4
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