FOD814AS
Symbol Micros:
OOPC814as FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 50-150% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Auf Lager:
77 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 97+ | 485+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9316 | 0,6195 | 0,5116 | 0,4623 | 0,4435 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Auf Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 15+ | 63+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9316 | 0,6852 | 0,5257 | 0,4693 | 0,4435 |
| Klickrate (CTR): | 50-150% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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