FOD814AS
Symbol Micros:
OOPC814as FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 50-150% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Auf Lager:
77 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 97+ | 388+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5688 | 0,4231 | 0,3126 | 0,2633 | 0,2468 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Auf Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 9+ | 30+ | 87+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5688 | 0,3643 | 0,2962 | 0,2656 | 0,2492 |
| Klickrate (CTR): | 50-150% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung [V]: | 70V |
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Standard-Verpackung: 500
Menge (Vielfache 1)
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