FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 97+ 388+
Nettopreis (EUR) 0,5668 0,4216 0,3115 0,2623 0,2459
Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 2+ 9+ 30+ 87+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5668 0,3631 0,2951 0,2647 0,2483
Standard-Verpackung:
3
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V