FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 97+ 485+
Nettopreis (EUR) 0,9316 0,6195 0,5116 0,4623 0,4435
Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 15+ 63+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9316 0,6852 0,5257 0,4693 0,4435
Standard-Verpackung:
3
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V