FOD817AS

Symbol Micros: OOPC817as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817ASD
Parameter
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817AS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3375 0,1860 0,1461 0,1385 0,1298
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
379000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1298
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
52000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1298
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V