EL817(B)-F

Symbol Micros: OOPC817b EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04
Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: LTV817B; PC817B; EL817(B)-F; EL817B;
Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL817(B)-F RoHS Gehäuse: PDIP04 Datenblatt
Auf Lager:
16700 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2094 0,0992 0,0557 0,0423 0,0381
Standard-Verpackung:
100/2500/17500
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 35V