LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DIP04smd
einzelner CTR 300-600 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parameter
Gehäuse: DIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-817S-TA1-D RoHS Gehäuse: DIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
2220 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2081 0,1006 0,0688 0,0609 0,0595
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817D300W Gehäuse: DIP04smd  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0701
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: DIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V