TLP120(GB,F)

Symbol Micros: OOTLP120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
Einzel-CTR 50-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV Foto-IC TLP120(F); TLP120(TPL,F); TLP120(GB,F); TLP120(GB-TPL,F); TLP120;
Parameter
Gehäuse: SO 4
Klickrate (CTR): 50-600%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPB Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: SO 4
Klickrate (CTR): 50-600%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPB Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V