TLP291 SOIC04    TLP291(TP,SE(T

Symbol Micros: OOTLP291
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC04
einzelner CTR 100-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; O; TLP291(GB-TP,E(O; O; GR,SE(T; TLP291-GR. SE-T; TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP.E-O);
Parameter
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung [V]: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
875 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,3137 0,1683 0,1311 0,1187 0,1145
Standard-Verpackung:
875
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,3137 0,1683 0,1311 0,1187 0,1145
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,3137 0,1683 0,1311 0,1187 0,1145
Standard-Verpackung:
1400
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GB-TP,SE RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
730 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,3137 0,1683 0,1311 0,1187 0,1145
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(TP,SE(T Gehäuse: SOIC04  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1266
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GB-TP,SE(T Gehäuse: SOIC04  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1266
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung [V]: 80V