RDF10N65A CREATEK

Symbol Micros: TSTP10NK60ZFP CRE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: RDF10N65A RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9753 0,6463 0,5320 0,4970 0,4643
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole