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Widerstand im offenen Kanal:
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750mOhm |
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Max. Drainstrom:
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10A |
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Maximaler Leistungsverlust:
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35W |
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Gehäuse:
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TO220iso |
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Hersteller:
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STMicroelectronics |
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Max. Drain-Source Spannung:
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600V |
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Transistor-Typ:
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N-MOSFET |
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Max. Gate-Source Spannung:
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30V |
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Betriebstemperatur (Bereich):
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-55°C ~ 150°C |
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Montage:
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THT |
Ausführliche Beschreibung
STP10NK60ZFP ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochlastkreisen ausgelegt ist. Er zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 600V und einen maximalen Drainstrom von 10A aus. Diese Parameter machen ihn ideal für Anwendungen in Schaltnetzteilen, Energiewandlern und Motorsteuerungssystemen.
Der STP10NK60ZFP-Transistor nutzt die SuperMESH™-Technologie, die einen niedrigen Einschaltwiderstand (unter 750mOhm) gewährleistet, die Energieeffizienz erhöht und Leistungsverluste reduziert. Mit integriertem Zener-geschütztem Gate-Schutz ist der Transistor vor Spannungsspitzen geschützt, und seine hohe Energietoleranz im Lawinenmodus sowie die große Widerstandsfähigkeit gegenüber schnellen Spannungsänderungen (dv/dt) machen ihn zu einer zuverlässigen Lösung selbst für anspruchsvollste Anwendungen.
Der STP10NK60ZFP arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C, was seinen Einsatz in anspruchsvollen industriellen Umgebungen ermöglicht. Das TO220iso-Gehäuse mit thermischer Isolierung sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sichere elektrische Isolation, was die Montage vereinfacht und die Sicherheit erhöht.
