2N5551 TO92 RoHS NPN 180V 600mA 625m

Symbol Micros: T2N5551 FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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NPN-Transistor; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Aquivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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