2N7002BK

Symbol Micros: T2N7002bk

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	440mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2209	0,1120	0,0678	0,0538	0,0491

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	440mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1054	0,0415	0,0242	0,0177	0,0162

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0836	0,0329	0,0192	0,0141	0,0129