2N7002BK

Symbol Micros: T2N7002bk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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5000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2845 0,1510 0,1171 0,1079 0,1035
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Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-07
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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