2N7002BK JGSEMI

Symbol Micros: T2N7002bk JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002BK,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1062 0,0419 0,0244 0,0179 0,0163
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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