2N7002PW NXP
Symbol Micros:
T2N7002pw
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4140 | 0,2283 | 0,1795 | 0,1663 | 0,1594 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1594 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1594 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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