2N7002PW NXP

Symbol Micros: T2N7002pw

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

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2500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1657	0,0786	0,0443	0,0337	0,0301

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD