RCK3018W SOT323 REALCHIP

Symbol Micros: T2SK3018w REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS138PW,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCK3018W RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0781 0,0301 0,0147 0,0117 0,0111
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole