AO3407A SOT23 FUXINSEMI
Symbol Micros:
TAO3407a FUX
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 87mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer: AO3407A RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1265 | 0,0581 | 0,0315 | 0,0235 | 0,0211 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 87mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole